报告题目：脉冲辐射场宽禁带半导体探测技术研究

报告人：刘林月 副研究员

邀请人：安众福教授

报告时间：2024年7月2日（星期二）14:30

报告地点：科技D楼1903室

报告摘要

脉冲辐射场可由激光加速器辐射源、脉冲核反应堆、散裂中子源、人工聚变装置等产生，与核聚变和裂变反应息息相关。开展脉冲中子特性、机理和规律研究，对核能应用、无损检测等具有重要意义。高性能探测材料器件研究是脉冲中子探测技术发展的重要突破点，近年来宽禁带半导体探测器研究在快中子探测领域呈现出独特优势：相比于硅、锗等传统半导体探测器，碳化硅、金刚石等具有抗辐照能力强、耐高温、室温工作等优势，适用于高温及强辐射等极端辐射应用环境；二维钙钛矿闪烁体材料首次研究获得了对快中子（<6 MeV）的能量响应线性，成功突破传统ST401等脉冲闪烁中子探测器的能量响应非线性难题。基此成功发展了系列宽禁带脉冲中子探测新技术，多项技术在国家重要研究中获得成功应用，形成我国新的脉冲中子诊断技术能力。本报告将主要介绍辐射场特性、探测诊断需求及我们在宽禁带脉冲中子探测器研究中的最新研究成果，主要内容包括：一、碳化硅脉冲中子强度探测；二、金刚石脉冲中子时间谱探测；三、有机无机钙钛矿中子能量探测。

个人简介

刘林月，女，博士，西北核技术研究所副研究员、博导，2019年国家优秀青年科学基金获得者，研究方向：宽禁带半导体辐射探测技术。先进脉冲辐射场探测器件研制的主要攻关者和学术带头人之一。近五年来，面向国家中子诊断需求，主持研制成功碳化硅、金刚石、有机无机杂化中子闪烁体等多种核心探测器件和材料，发展了多种全新的脉冲中子探测系统及技术。获国家自然基金委优秀青年基金（2019年）、数理学部首批原创性项目（2020年）资助，主持和参与完成了12项国家级、部委级研究课题，获部委级一等奖2项，第一作者及通讯作者在AFM、IEEE TNS、Sens. Actuator A Phys.等高影响力期刊发表论文50余篇，申请及授权发明专利25项。